Компания HGST сообщает о готовом образце уникального накопителя с памятью Phase Change Memory

Автор: Алена КОРОЛЕВА
HGST, уникальный накопитель, память Phase Change Memory, изменяемое фазовое состояние

В рамках предстоящего мероприятия Flash Memory Summit, которое пройдет в Калифорнии, выступят многие производители электроники со своими перспективными разработками. Среди них – компания HGST, которая собирается показать посетителям выставки уникальный накопитель, в основе которого лежит память Phase Change Memory с функцией изменения фазового состояния.

В ходе создали инновационного устройства разработчики уделили особое внимание халькогениду, который переключается в кристаллический или аморфный режим в зависимости от температуры нагрева. При переходе из одного режима в другой происходит переключение между единицей и логическим нулем.

Высокотехнологичная память, наделенная возможностью смены фазового состояния, является энергонезависимой, что позволяет ей хранить в себе важные данные даже при отсутствии питания. Можно сказать, что в этом случае она в чем-то напоминает обычную флэш-память, скорость которой, правда, значительно ниже чем у новой разработки.

В 2014 году производитель памяти анонсировал семейство новых накопителей типа SSD PCIe, созданные по образу и подобию PCM-памяти. Благодаря PCM-технологии память потребляет значительно меньше электроэнергии, причем не в ущерб производительности.

Если вам понравилась эта публикация,
поделитесь ею или обсудите её в социальных сетях:

Подпишитесь, пожалуйста, на наш канала в Яндекс Дзен и получайте подборку наших лучших эксклюзивных публикаций


Загрузка...